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AI通胀烧向手机 高通、联发科应对策略曝光
文章出处：瑞航达电子国际化电子元件渠道分销商 作者：电子元器件供应链服务商 发表时间：2026-10-19
AI热潮不只推升服务器需求，也正逐步垫高智能手机成本。 随资料中心大量吸纳先进制程、DRAM与NAND Flash资源，加上高阶手机跨入2纳米世代，从处理器、存储器
到储存价格同步向上，「AI通胀」正由云端向消费电子传导，也让手机品牌今年面临更大的BOM（物料清单）压力。 业界分析，高通、联发科同步采双旗舰策略，除扩大
产品覆盖，也反映品牌需要更多芯片选择，以应成本快速上升。
其中，内存成为今年最明显的成本来源。 研调观察，以8GB+256GB主流智慧手机计算，今年第一季相关记忆体合约价格较去年同期接近增加两倍，使记忆体占整机BOM
比重由过去约10%~15%，快速升至30%~40%; 第二季LPDDR5X平均售价更季增78%~83%，12GB、16GB等高阶配置成本压力尤其明显。
背后关键在于AIDC重分配全球记忆体产能。 供应商持续提高HBM、高容量服务器DRAM及企业级SSD资源配置，因其单位产能产值与获利均较消费性产品更高，间接压缩
手机LPDDR与NAND Flash供给。
高通认为，为守住目标售价带，OEM正重新调整整机配置，其中记忆体与储存是重要环节，部分业者甚至会在显示器端调整规格，例如改采LCD而非OLED，以平衡整体BOM
另一项成本则是先进制程。 高通新一代两款旗舰平台均跨入2纳米，联发科天玑9600 Pro亦采台积电2纳米; 2纳米首度导入纳米片GAA架构，制程复杂度、EUV使用强度与
设备投资均高于前一世代。 台积电并未公布2纳米晶圆报价，但市场普遍预期单片成本显著高于3纳米，设计业者面临的投片与开发成本同步提高。
高通、联发科均推出双旗舰平台，除产品策略考量，也可让品牌在不同售价带选择适合的效能与成本组合。 随AI资本支出持续扩张，存储器、2纳米晶圆及相关零组件价格
能否降温，将直接影响下一轮旗舰手机定价与品牌毛利空间。