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Vishay采用行业标准SOT-227封装的1200V SiC MOSFET功率模块提升功率效率
文章出处：瑞航达电子国际化电子元件渠道分销商 作者：电子元器件供应链服务商 发表时间：2026-03-22
2026年3月17日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出五款全新的1200 V MOSFET功率模块---VS-SF50LA120、
VS-SF50SA120、VS-SF100SA120、VS-SF150SA120和VS-SF200SA120，其目标在于提升汽车、能源、工业及通信系统中高频应用的功率效率。Vishay VS-
SF50LA120、VS-SF50SA120、VS-SF100SA120、VS-SF150SA120和VS-SF200SA120采用了Vishay最新一代碳化硅（SiC）MOSFET，并且以行业标准的
SOT-227形式进行封装。
此次推出的每个功率模块都采用单开关和低边斩波器配置，内置的SiC MOSFET集成了软体二极管，可实现低反向恢复特性。这种设计降低了开关损耗，提高了效率，
可适用于太阳能逆变器、电动汽车（EV）车载充电器、SMPS、直流/直流转换器、不间断电源（UPS）、暖通空调（HVAC）系统、大规模电池储能系统以及通信电
源设备等领域。
VS-SF50LA120、VS-SF50SA120、VS-SF100SA120、VS-SF150SA120和VS-SF200SA120采用紧凑型的SOT-227封装，使得这些器件能够作为现有设计中竞品的
“即插即用”型替代方案。这样，设计人员无需对PCB布局进行更改，即可采用最新的SiC技术，从而节省成本。模压封装还可提供高达2500 V（一分钟）的电气绝
缘，通过消除组件与散热器之间对额外绝缘措施的需求，进一步降低了成本。
这些功率模块提供50 A至200 A的连续漏极电流，导通电阻低至12.1 mW。这些器件符合RoHS标准，具备低电容高速开关特性，并可支持+175 °C的最高工作结温。
器件规格表：
产品编号
VDSS
ID
RDS(ON)
配置
封装
VS-SF50LA120
1200 V
50 A
43 mW
低边斩波器
SOT-227
VS-SF50SA120
50 A
47 mW
单开关
VS-SF100SA120
100 A
23 mW
单开关
VS-SF150SA120
150 A
16.8 mW
单开关
VS-SF200SA120
200 A
12.1 mW
单开关
VS-SF50LA120、VS-SF50SA120、VS-SF100SA120、VS-SF150SA120和VS-SF200SA120现可提供样品并已实现量产，供货周期为13周。