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东芝第3代SiC肖特基势垒二极管产品线增添1200 V新成员，其将助力工业电源设备实现高效率
文章出处：瑞航达电子国际化电子元件渠道分销商 作者：电子元器件供应链服务商 发表时间：2024-09-27
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，最新推出第3代碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）产品线中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V产品，为其面向太阳能逆变器、电动汽车充电站和开关电源等工业设备降低功耗。东芝现已开始提供该系列的十款新产品，其中包括采用TO-247-2L封装的五款产品和采用TO-247封装的五款产品。
最新TRSxxx120Hxx系列为1200 V产品，其采用东芝第3代650 V SiC SBD的改进型结势垒肖特基（JBS）结构[1]。在结势垒中使用新型金属，有助于这些新产品实现业界领先的[2]1.27 V（典型值）低正向电压、低总电容电荷和低反向电流。这可显著降低较大电源应用中的设备功耗。
东芝将继续壮大其SiC电源器件的产品线，并将一如既往地专注于提高可降低工业电源设备功耗的效率。
■ 应用：
- 光伏逆变器
- 电动汽车充电站
- 工业设备UPS的开关电源
■ 特性：
- 第3代1200 V SiC SBD
- 业界领先的[2]低正向电压：VF＝1.27 V（典型值）（IF＝IF(DC)）
- 低总电容电荷：TRS20H120H的QC＝109 nC（典型值）（VR＝800 V，f＝1 MHz）
- 低反向电流：TRS20H120H的IR＝2.0 μA（典型值）(VR＝1200 V)
■ 主要规格：
（除非另有说明，Ta＝25 °C）
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注：
[1] 改进型结势垒肖特基（JBS）结构：该结构将混合式PiN肖特基（MPS）结构（可在大电流下降低正向电压）整合在JBS结构（不仅可降低肖特基接口的电场，而且还可减少电流泄漏）中。
[2] 在1200 V SiC SBD中。截至2024年9月的东芝调查。