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新品 | 英飞凌XHP™ 2系列2300V CoolSiC™ 碳化硅MOSFET
文章出处：瑞航达电子国际化电子元件渠道分销商 作者：电子元器件供应链服务商 发表时间：2026-04-13
英飞凌XHP™ 2系列2300V CoolSiC™
碳化硅MOSFET
为顺应可再生能源领域中1500V直流母线应用日益增长的趋势，英飞凌推出XHP™ 2系列2300V CoolSiC™ MOSFET产品扩充。该系列产品电流规格丰富，最高可达
2000A，并提供4kV或6kV的隔离电压等级，非常适用于高功率应用。结合可靠耐用的.XT扩散焊技术，该产品在使用寿命和可靠性方面均达到同类最佳水平，为高可
靠性应用提供了坚实的保障。
每款模块均可提供预涂导热界面材料版本，以简化组装流程，并实现最佳热性能。
产品型号：
■FF1000UXTR23T2M1_B5
■FF1000UXTR23T2M1P
■FF1000UXTR23T2M1
■FF1300UXTR23T2M1P
■FF1300UXTR23T2M1
■FF2000UXTR23T2M1P
■FF2000UXTR23T2M1
产品特性
CoolSiC™ MOSFET，耐压2.3kV
集成体二极管
导通电阻低至0.95mΩ
低电感XHP™ 2封装
.XT扩散焊技术
对称的模块设计
高浪涌电流承受能力
短路耐受能力
极低的开关与导通损耗
最高持续工作结温175°C
4kV与6kV隔离电压
铜基板与铝碳化硅复合基板可选
应用价值
卓越能效
超高功率密度
更长使用寿命
业界顶尖的可靠性
竞争优势
2300V阻断电压，适用于更高的直流母线电压（标称1500V，最高可达1800V）
具备短路鲁棒性
具备浪涌电流鲁棒性
材料结构允许芯片最高持续工作结温达175°C
应用领域
可再生能源（风电、光伏）
电池储能系统
氢能