新闻资讯
瑞萨电子推出650V双向氮化镓开关，聚焦能效提升
文章出处：瑞航达电子国际化电子元件渠道分销商 作者：电子元器件供应链服务商 发表时间：2026-04-01
瑞萨电子（Renesas Electronics）宣布推出业界首款 650V 级双向氮化镓（GaN）开关，旨在简化太阳能微型逆变器、人工智能数据中心、电动汽车车载充电器等应
用的功率转换设计。该公司强调，这款新型 TP65B110HRU 器件在单一芯片中集成了双向电流阻断功能，无需采用传统的背靠背场效应晶体管（FET）配置。
这一技术突破意义重大 —— 它解决了大功率转换设计中长期存在的能效与复杂度难题，同时契合了行业向更高集成度、更简化架构发展的趋势。
迈向单级功率转换
据介绍，传统功率转换系统依赖单向硅基或碳化硅（SiC）开关，必须采用多级架构。以太阳能微型逆变器为例，通常需要独立的直流 - 直流（DC-DC）和直流 - 交
流（DC-AC）转换阶段，这会增加元器件数量并降低转换效率。
瑞萨电子表示，其双向氮化镓方案实现了真正的单级转换。工程师仅需两颗高压器件即可替代多颗传统开关，省去中间直流母线电容，同时将开关数量减少一半。得益
于氮化镓器件的快速开关特性和低电荷特性，实际应用中的转换效率已突破 97.5%。
这一变革将对系统设计产生广泛影响，尤其适用于数据中心、电动汽车平台等空间受限且热管理严苛的场景。
简化设计，提升可靠性
TP65B110HRU 采用耗尽型氮化镓器件与两颗低压硅基 MOSFET 的组合方案，既实现双向工作模式，又能与标准栅极驱动器兼容。与增强型氮化镓解决方案不同，该
器件无需负栅极偏置，简化了栅极驱动电路设计，降低了系统成本。
瑞萨电子重点强调了该器件的核心特性：连续工作电压 ±650V、瞬态耐压 ±800V、 dv/dt 抗扰度超过 100V / 纳秒；集成反向导通体二极管，支持软开关与硬开关拓
扑（包括维也纳整流器）。
目前，该器件已正式上市，同步推出的还有评估套件，支持多种驱动配置与软开关实施方案。
此次新品发布标志着电力电子设计可能迎来拐点。双向氮化镓器件通过实现更简洁的单级架构、减少元器件数量，有望加速高效能系统在可再生能源、汽车及数据基础
设施等领域的普及。