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长鑫科技拟投 349 亿元：241 亿元投向研发，108 亿元补后道测试产能
文章出处：瑞航达电子国际化电子元件渠道分销商 作者：电子元器件供应链服务商 发表时间：2026-10-03
9 月 29 日披露的公告显示，长鑫科技（688825）董事会已于 9 月 28 日审议通过两项投资议案，合计投资 349 亿元。其中技术研发项目投资总额 241 亿元，存储器晶
圆后道测试基地二期项目投资总额 108 亿元。两个议案尚需提交公司股东大会审议。按公告，两个项目合计使用超募资金 180 亿元。
技术研发项目由长鑫科技自行实施，地点位于合肥经济技术开发区新桥科技创新示范区内的 12 英寸存储器晶圆制造基地，建设期为 30 个月，设备购置费 223.98 亿元，
占投资总额的 92.94%，拟使用超募资金 130 亿元；项目聚焦 DRAM 芯片工艺迭代、性能升级与新技术研发，作为研发项目不单独测算投资回报。后道测试基地二期由
全资子公司长鑫存储产品（合肥）有限公司在合肥市肥西县实施，建设期 37 个月，建设投资 100 亿元，占投资总额的 92.59%，拟通过增资和借款方式投入超募资金
50 亿元，计划建设一座测试工厂，为 DRAM 存储芯片提供测试以及模组组装。公司首次公开发行募集资金净额 663.10 亿元，超募资金 368.10 亿元，本次公告落地其
中 180 亿元的使用方向。
公告给出的理由是测试环节的产能配套。公司称，随着产能提升与产品种类增多，外部封测厂的测试产能和新增投资配套可能不足，自建测试产能可以更灵活地协调测试
产能利用、降低 DRAM 芯片测试成本，并完善 IDM 模式。从工程链看，后道测试需要走过测试分档、老化与可靠性验证、自动搬运与追溯、模组组装与包装等环节，每
个环节的设备导入周期不同；研发项目的 30 个月与测试基地的 37 个月，对应的是厂房、厂务与设备采购安装的组合节奏，而不是某个时间点上的产能数字。公司目前的
工艺平台已从第一代迭代到第五代并实现量产，产品覆盖从 DDR4、LPDDR4X 延伸到 DDR5、LPDDR5/5X 与 LPDDR6，测试与研发投入的节奏也需要跟着产品代际走。
公告同时说明，董事会审议通过不等于股东大会批准，预算也并不等同于当期支出、确定产能或任何设备厂商的订单。作为背景，公司 2026 年上半年实现营业收入 1503.
10 亿元，同比增长 873.64%，归属于上市公司股东的净利润 776.05 亿元，上年同期为亏损。