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英飞凌针对800 VDC架构AI数据中心推出基于CoolGaN高压IBC参考设计

【2026年3月31日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出两款全新高压中间总线转换器（HV IBC）参考设计，帮助客户加速向±400 V和800 V直流（VDC）供电的AI服务器电源架构...

Vishay推出车规级光伏MOSFET驱动器，提升高压系统可靠性并降低成本

日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出一款首度采用紧凑型SMD-4封装的全新车规级光伏MOSFET驱动器---VODA1275，爬电距离为8 mm，模塑材料相对漏电起痕指数（CTI）达600。VishaySemiconductors VODA1275专门...

恩智浦第三代雷达收发器助力高性能成像雷达规模量产，赋能L2+至L4级自动驾驶

采用RFCMOS工艺的汽车雷达收发器，集成8个发射通道和8个接收通道，助力实现多达576个天线通道的新一代成像雷达传感器，全面服务高级驾驶辅助系统（ADAS）和自动驾驶应用。最新动态恩智浦半导体（NXP Semiconductors N.V.，纳斯达克股票代码：NXPI）宣布推出其...

Molex莫仕推出145 GHz Cardinal 多端口高频同轴组件

· 经过现场验证的 Cardinal 产品家族新增的多功能产品，支持最高频段，同时提供无与伦比的信号完整性和回波损耗性能· 经过精心设计，可解决复杂测试环境中多信道信号路由的复杂性· 支持高达 448 Gbps 的数据表征传输率，可验证下一代 AI 集群、5G/6G、卫星通信、毫...

瑞萨电子推出650V双向氮化镓开关，聚焦能效提升

瑞萨电子（Renesas Electronics）宣布推出业界首款 650V 级双向氮化镓（GaN）开关，旨在简化太阳能微型逆变器、人工智能数据中心、电动汽车车载充电器等应用的功率转换设计。该公司强调，这款新型 TP65B110HRU 器件在单一芯片中集成了双向电流阻断功能，无需采用传统的...

Arm AGI CPU：智能体式人工智能云时代的芯片基石

今日，Arm 正式发布Arm AGI CPU—— 这是一款基于 Arm Neoverse 平台打造的全新量产级芯片，专为赋能下一代人工智能基础设施而生。在 Arm 逾 35 年的发展历程中，这是我们首次推出自研芯片产品。此举将 Arm Neoverse 平台的能力从 IP 和 Arm 计算子系统（CSS）...

PI将PowiGaN技术赋能TOPSwitch IC 系列

2026 年应用电力电子会议（APEC）：Power Integrations将其PowiGaN氮化镓技术应用于拓普开关（TOPSwitch）反激式集成电路中，将功率范围提升至 400 瓦。Power Integrations TOPSwitch氮化镓产品亮相 2026 年 APEC 展会该公司的PowiGaN 技术使反激式转换...

德州仪器 IsoShield 功率模块：瞄准数据中心与电动汽车市场

德州仪器推出两款全新隔离式功率器件，专为系统功率提升后，电路板面积、设备重量及电噪声难以管控的应用场景打造。UCC34141-Q1 与 UCC33420 两款器件采用德州仪器独家封装方案，将平面变压器与隔离式功率级集成于高紧凑度模块中。德州仪器表示，这款全新的 IsoShield 功...

Bourns 扩展 Multifuse MF-LSMF 系列 PPTC 可复式保险丝产品线

2026年3月20日 - Bourns 全球知名电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商，今日宣布扩展其 Multifuse®MF-LSMF 高功率表贴式聚合物正温度系数 (PPTC) 可复式保险丝系列。为提供更多设计弹性，此次新增的九款型号具备更宽广的保持电流 (Ihold) 范围，最高可达...

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