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东芝开始出货面向系统控制应用的TXZ+™族入门级M4V组

中国上海，2026年8月6日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出TXZ+™族入门级M4V组标准微控制器。该系列产品搭载带浮点运算单元（FPU）的Arm® Cortex®-M4内核，可增强IoT设备和工业设备中的安全性与数据管理能力。目前已开始提供工程样品。...

SK海力士联合SanDisk发布HBF开放标准，要做"NAND版HBM"

SK海力士与SanDisk在FMS 2026期间联合发布了HBF（High Bandwidth Flash，高带宽闪存）开放标准，并通过OCP（开放计算项目）对外公开规范。HBF被业界称为"NAND版的HBM"，目标是为AI训练与推理提供堪比HBM带宽、但成本与容量更接近闪存的大容量内存层...

Bourns 推出 CFG-A 系列宽端子金属箔电流检测电阻器适用于汽车与高可靠度应用

美国Bourns今日宣布推出全新 CFG-A 系列宽端子金属箔电流检测电阻器，提供 0508 与 0612 两种封装尺寸。该系列产品功率最高可达 2 W，电阻值范围涵盖 1 至 30 mΩ，并符合 AEC-Q200 车规标准，专为汽车电力电子、电机驱动及其他高可靠度应用而设计，满足精准且稳定的电流...

美国拟向七家企业提供 8.74 亿美元半导体研发支持

美国商务部下属 CHIPS 研发办公室（NIST）于 7 月底与 7 家企业签署意向书，拟依据《芯片与科学法案》提供合计最高 8.74 亿美元的联邦研发激励，条件是政府取得各公司少数、非控股股权。资金指向 AI 基础设施的"连接层"瓶颈：共封装光学（CPO）、AI 内存、先进封装...

瑞萨电子推出的第三代MRDIMM 将DDR5内存性能提升至16,000MT/s，赋能下一代AI与HPC应用

全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布，推出其第三代（Gen3）DDR5多路复用双列直插内存模块（MRDIMM）芯片组解决方案，可实现高达16,000兆次传输/秒（MT/s）速率的服务器级MRDIMM。该系列解决方案专为应对人工智能（AI）数据中心、云基础...

Vishay推出车规高速光耦VOMHA43A，3.6毫米封装面向400V电池系统隔离

Vishay推出VOMHA43A车规高速光耦，采用3.6毫米宽SOP-5封装，已通过AEC-Q102车规认证。该器件提供至少40kV/μs的共模瞬态抗扰度（CMTI）和最高707V峰值重复隔离电压，适用于CAN、LIN、I²C和SPI通信总线隔离、智能功率模块驱动隔离以及400V电池系统...

东芝开始量产面向单电机控制应用、搭载Arm® Cortex® M4内核的小型微控制器

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，已开始量产TXZ+™族入门级M4L组小型微控制器。该系列产品搭载带浮点运算单元（FPU）的Arm® Cortex® M4内核，面向下一代家电、消费类产品及工业设备。在家电、消费类产品和工业设备领域，对节能、小型化设计、物...

Littelfuse更新汽车级功率器件保护方案，48V与高压平台拉动保护需求

随着汽车电气架构向48V、800V和更高功率密度演进，保护器件在整车系统中的位置正在被重新审视。Littelfuse持续更新面向汽车级功率器件、电池系统和高压电源链路的保护方案，反映出一个趋势：智能电动汽车的可靠性竞争，不只发生在主芯片、功率模块和电池包上，也发生在过压、过...

莱迪思半导体完成收购 AMI

2026年7月28日，低功耗可编程器件的领先供应商莱迪思半导体今日宣布完成对 AMI 的收购。本次收购于2026年5月4日首次公布，双方合作将打造业内业界领先的安全管理与控制平台。此次收购预计将在非GAAP准则下提升其毛利率、自由现金流和每股收益，并助力莱迪思实现在2026年底前...

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