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SI4946BEY-T1-E3

制造商零件号
SI4946BEY-T1-E3
制造商
Vishay
包装/案例
-
数据表
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描述
MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC
库存
35000
制造商 :
Vishay
产品分类 :
晶体管 - FET、MOSFET - 阵列
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
6.5A
Drain to Source Voltage (Vdss) :
60V
FET Feature :
Logic Level Gate
FET Type :
2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
840pF @ 30V
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Power - Max :
3.7W
Product Status :
Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
41mOhm @ 5.3A, 10V
Supplier Device Package :
8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
数据列表
SI4946BEY-T1-E3